如何测二极管的好坏

本文详细讲解使用万用表检测二极管好坏的十二种专业方法，涵盖正向导通特性、反向截止特性、表面异常判别等核心检测技术，附带常见故障类型分析和安全操作规范，帮助电子爱好者快速掌握二极管检测要领。

       在电子元器件检测领域，二极管作为基础性元件其状态判断直接影响电路性能。根据工业和信息化部发布的《电子元器件检测技术规范》，二极管故障可能导致电路短路、信号失真等严重后果。本文将系统阐述十二种实用检测方法，结合国家标准GB/T 4023-2015《半导体器件分立器件检测方法》的技术要求，为从业者提供标准化操作指南。

       数字万用表二极管档位检测法

       选择数字万用表二极管专用测试档位（符号为二极管图标），红表笔接阳极，黑表笔接阴极。正常硅二极管应显示0.5-0.7伏特正向压降值，反向测量显示过量程标识"OL"。若正反向测量均显示接近零值，表明器件已击穿；若正反向均显示过量程，则说明内部开路。该方法测量精度可达±1.5%，是现场检测最常用的方法。

       指针式万用表电阻档检测法

       选用R×1k欧姆档位，黑表笔（内接电池正极）接二极管阳极时，正常阻值应在3-10千欧姆区间。反向测量阻值应大于500千欧姆。需注意不同材质二极管的差异：锗管正向阻值约为1-3千欧姆，硅管为3-10千欧姆。测量时避免使用R×1或R×10档位，以免过大电流损坏器件。

       正向导通电压精确测量

       采用可调直流电源串联限流电阻（通常为1千欧姆）构建测试电路，使用高精度电压表测量二极管两端压降。硅二极管在额定电流下正向压降应为0.6-0.7伏特，锗二极管为0.2-0.3伏特。若实测值偏离标准值20%以上，即可判定器件性能劣化。该方法符合国家标准GB/T 17573-1998《半导体器件基本测试方法》第5.2条款要求。

       反向漏电流测试技术

       在二极管阴极施加额定反向电压（普通整流管不超过最大反向工作电压的70%），使用微安表测量漏电流。常温下硅管漏电流应小于1微安，锗管小于100微安。若漏电流超过器件手册标称值的150%，说明反向特性已恶化。测试时需注意环境温度影响，每升高10℃漏电流约增大1倍。

       在线路板带电检测方法

       在不断电情况下，使用高阻数字万用表测量二极管两端电压。正常工作时正向偏置应显示0.6-0.7伏特压降，反向偏置时电压值接近电路工作电压。若发现正向压降异常增高或反向压降明显降低，均可判定故障。该方法特别适用于电源电路检修，但需注意并联元件对测量值的影响。

       温度特性辅助判断法

       使用恒温加热台对二极管均匀加热至85℃（不得超过最大结温），观察正向压降变化率。正常硅二极管具有负温度系数，每升高1℃压降减小约2毫伏。若加热过程中出现压降突变或温度系数异常，表明器件存在材料缺陷。根据半导体物理学原理，这种变化通常与PN结载流子浓度变化相关。

       电容特性检测技术

       使用数字电桥测量二极管结电容，在零偏压条件下，普通整流管结电容通常在10-100皮法范围内。变容二极管则需测量电容-电压特性曲线，正常应呈现平滑变化。若检测到电容值异常增大或曲线出现畸变，说明PN结界面存在污染或损伤。该方法对高频电路用二极管的检测尤为重要。

       恢复时间测试方案

       针对快恢复二极管和开关二极管，需要采用图示仪或专用测试仪测量反向恢复时间。给二极管施加正向电流后突然切换反向电压，观察电流归零的时间过程。正常快恢复二极管反向恢复时间应小于200纳秒，超快恢复二极管小于50纳秒。测试需严格遵循IEC 60747-1标准规定的测试条件。

       稳压二极管特殊检测

       搭建恒流源电路（通常限制电流在5-20毫安），逐步增加反向电压直至出现稳定击穿，记录稳定电压值。正常稳压管击穿特性应尖锐明确，稳压值偏差不超过标称值的±5%。测试时需注意功率 dissipation，避免因过热造成二次损坏。根据JEDEC标准JESD77-B，测试时间应控制在3秒内完成。

       发光二极管专项检测

       使用可调恒流源驱动发光二极管（LED），标准测试电流为20毫安。正常白光LED正向压降为3-3.6伏特，红光LED为1.8-2.2伏特。同时需要测量发光强度，在距离器件正前方30厘米处使用照度计检测，亮度不应低于器件规格书标称值的70%。检测时需避免直视高亮度LED光源。

       光电二极管特性验证

       在完全黑暗环境中测量反向漏电流（暗电流），一般应小于10纳安。然后在标准光源（通常为2856K色温）照射下测量光电流，正常光电二极管的光电流应为暗电流的百倍以上。还需检查响应时间，用脉冲光源照射并观察电流上升沿，正常应小于100纳秒。测试环境需符合IEC 60747-5-2标准要求。

       表面缺陷视觉判别法

       使用放大镜观察二极管外观，重点检查玻璃封装器件是否有裂纹、金属引线是否氧化、塑料封装是否有焦痕。根据GJB 4027A-2006《军用电子元器件外观检查标准》，任何超过引线直径10%的氧化现象都应判定为不合格。对于大功率二极管，还需检查基板与管壳的焊接完整性。

       对比法快速筛查

       选取同型号已知良品二极管作为参照，在相同测试条件下对比正向压降、反向漏电流等参数。若被测器件参数与参照器件的差异超过15%，即可判定为异常。这种方法特别适用于批量检测场景，但需要注意参照器件必须经过权威机构校准。

       极限参数验证方案

       使用专业元器件测试仪施加逐渐增大的反向电压，直至达到器件标称的最大反向工作电压。观察泄漏电流的变化曲线，正常应保持平稳。随后进行功率负荷试验，在最大正向电流下持续工作1分钟，检测温升是否超过45℃。该测试需在具有保护功能的专业设备上进行。

       综合性能评估体系

       建立包含静态参数（正向压降、反向电流）、动态参数（恢复时间、结电容）和环境适应性（温度特性、机械强度）的多维度评价体系。建议参照国家标准GB/T 4586-94《半导体器件检测方法总则》，采用加权评分法进行整体质量评估，得分低于80分的器件不建议用于重要电路。

       通过上述十二种检测方法的系统应用，可准确判断二极管的工作状态。需要注意的是，不同用途的二极管应选择相应的检测重点：电源整流电路侧重正向电流和反向耐压，高频电路关注恢复时间和结电容，光电转换电路则需重点检测光敏特性。建议维修人员建立标准化检测流程，并定期校准测试仪器，确保检测结果的可靠性。